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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	底架	表面安装	引脚数	材料	终端数量	晶体管元件材料																		Maximum Drain Source Resistance (MOhm)																																																		包装	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	ECCN 代码	类型	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	子类别	最大功率耗散	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	Reach合规守则	JESD-30代码	资历状况	配置	元素配置	操作模式	功率耗散	箱体转运	晶体管应用	上升时间
IRF9540NSHR	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	117@10V	无	无	Enhancement	1	100	3100							8541.29.00.95				Obsolete																		Single																		P
IRF5210SHR	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	2	SILICON	60@10V	International Rectifier	1	Obsolete	INTERNATIONAL RECTIFIER CORP	5.68	40 A				EAR99	8541.29.00.95	无	无	Enhancement	1	100	3800	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	小概要	PLASTIC/EPOXY	30	175 °C	无	IRF5210SHR	RECTANGULAR		e0	无	Obsolete	EAR99		锡铅			HIGH RELIABILITY, AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE	8541.29.00.95			SINGLE	鸥翼	225	compliant	3	R-PSSO-G2	不合格		Single		增强型MOSFET		DRAIN	SWITCHING			P-CHANNEL					0.06 Ω		140 A		100 V	P	780 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
IRHNJ57133SE	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	80@12V			不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	130	±20	20	48(Max)@12V	970@25V	75000	40(Max)	100(Max)	35(Max)	20(Max)	-55	150	表面贴装	2.61(Max)	10.28(Max)	7.64(Max)	3	SMD	SMD-0.5	No Lead								活跃														3				Single																		N
BSH205G2VL	Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	[email protected]	表面贴装	1(Max)	1.4(Max)	3(Max)	3	SOT	SOT-23	Gull-wing							Compliant	EAR99	有	有	Unknown	小信号	TMOS	Enhancement	1	20	8	0.95	2	100	1	[email protected]	418@10V	34@10V	890	16	14	43	5	-55	150	汽车				活跃														3				Single																		P
AUIRF2805STRL	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	Si	2	SILICON	135	150@10V	150	5110@25V	4.7@10V	200000	110	120	68	14	-55	175	汽车	表面贴装	4.83(Max)	9.65(Max)	10.67(Max)	2	Tab	TO-263	D2PAK	Gull-wing	135	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3	小概要	1	PLASTIC/EPOXY	30	175 °C	有	AUIRF2805STRL	RECTANGULAR	International Rectifier	1	Transferred	INTERNATIONAL RECTIFIER CORP	5.15	D2PAK	75 A			符合免除	EAR99	有	有	有	Unknown	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	55	±20	4	卷带	e3	有	Obsolete	EAR99		镍外哑光锡			AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY		FET 通用电源		SINGLE	鸥翼	260	compliant	3	R-PSSO-G2	不合格		Single		增强型MOSFET	200	DRAIN	SWITCHING			N-CHANNEL		TO-263AB	135 A	0.0047 Ω	700 A		55 V	N	380 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	200 W
AUIRLR3105TRL	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	37@10V	175	表面贴装	2.39(Max)	6.22(Max)	6.73(Max)	2	Tab	TO-252	DPAK	Gull-wing							符合免除	EAR99	有	有	有	Unknown	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	55	±16	3	25	200	20	20(Max)@5V	6	710@25V	57000	37	57	25	8	-55	卷带			Obsolete														3				Single																		N
SP000748518	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	380@10V	15	-55	150	表面贴装	2.41(Max)	6.22(Max)	6.73(Max)	2	Tab	TO-252	DPAK	Gull-wing							符合免除	EAR99	8541.29.00.95	有	有	Unknown	Unknown	功率MOSFET	CoolMOS C6	Enhancement	1	600	20	3.5	10.6	100	1	32@10V	32	700@100V	83000	9	10	110	卷带			Unconfirmed														3				Single																		N
SSM6J212FE(TE85L,F	Toshiba	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	6	Si	[email protected]	970@10V	700	-55	150	表面贴装	1.2	1.6	6	ES	Flat	1	Compliant				Compliant	EAR99	无	无	小信号	Enhancement	1	20	±8	4	14.1@10V	14.1	卷带			活跃				150 °C	-55 °C				500 mW					6				单四排液			700 mW				20 V		4 A		8 V					970 pF		P					40.7 mΩ
BSS138NE6327T	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	3500@10V	8.2	3	6.7	2.3	-55	150							Compliant	EAR99	8541.21.00.95	小信号	SIPMOS	Enhancement	1	60	±20	0.23	1@10V	1	32@25V	360	卷带			Obsolete																		Single																		N
BSZ042N06NSXT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	4.2@10V							Compliant	EAR99	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	OptiMOS	Enhancement	1	60	±20	40	27@10V	27	2000@30V	2500	6	7	19	10	-55	150	表面贴装	1	3.3	3.3	8	SON	TSDSON EP	No Lead	卷带			Unconfirmed														8				单四漏三源																		N
IXFM40N30	IXYS Integrated Circuits Division / Littelfuse	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	NO	2	SILICON	88@10V	150	通孔	11.4(Max)	26.66(Max)	39.12(Max)	2	Tab	TO-204AE	IXFM40N30	IXYS	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	FLANGE MOUNT	METAL	未说明	150 °C	有	ROUND	1	Obsolete	IXYS CORP	5.83	TO-3	40 A				Compliant	EAR99	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	300	±20	40	177@10V	177	4800@25V	300000	45	60	75	20	-55			有	Obsolete						雪崩额定		FET 通用电源		BOTTOM	PIN/PEG	未说明	compliant	3	O-MBFM-P2	不合格		Single		增强型MOSFET		DRAIN	SWITCHING			N-CHANNEL		TO-204		40 A	0.088 Ω		160 A		300 V	N	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	300 W		300 W
IXFM12N100	IXYS Integrated Circuits Division / Littelfuse	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Si	1050@10V			Compliant	无	无	功率MOSFET	HDMOS	Enhancement	1	1000	±20	12	122@10V	122	4000@25V	300000	32	33	62	21	-55	150	通孔	11.4(Max)	26.66	30.15 + 9.54(Max)	2	Tab	TO-204AA	Compliant	62 ns							Obsolete				150 °C	-55 °C									3				Single	Single		300 W			33 ns			12 A		20 V			1 kV				N				1.05 Ω
BSC032N03SGT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	3.2@10V					Compliant	EAR99	8541.21.00.95	无	无	功率MOSFET	OptiMOS	Enhancement	1	30	±20	23	29@5V	3820@15V	2800	5.4	7	32	7.5	-55	150	表面贴装	1	5.9	5.15	8	SON	TDSON EP	No Lead						Obsolete														8				单四漏三源																		N
BSC094N03SGXT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	9.4@10V			Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	OptiMOS	Enhancement	1	30	±20	14.6	10@5V	1350@15V	2800	3	3.8	18	4.5	-55	150	表面贴装	1	5.9	5.15	8	SON	TDSON EP	No Lead					卷带			Obsolete														8				单四漏三源																		N
OM12001/1000000:55	Telit	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			供应商未确认	无	无									Obsolete
SPB100N03S203GXT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	3.3@10V	Tab	TO-263	D2PAK	Gull-wing							符合免除	EAR99	有	有	无	无	功率MOSFET	OptiMOS	Enhancement	1	30	±20	100	113@10V	113	5300@25V	300000	39	40	44	24	-55	175	表面贴装	4.4	9.25	10	2	卷带			Obsolete														3				Single																		N
SN7002NE6433XT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	5000@10V	SOT-23	Gull-wing							Compliant	EAR99	8541.21.00.95	有	Unknown	小信号	SIPMOS	Enhancement	1	60	±20	1.8	0.2	1@10V	1	34@25V	360	3.6	3.2	5.3	2.4	-55	150	表面贴装	1(Max)	1.3	2.9	3	SOT	卷带			Obsolete														3				Single																		N
SPD08P06PZT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	[email protected]							Compliant	EAR99	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	SIPMOS	Enhancement	1	60	±20	8.83	10@10V	10	335@25V	42000	14	46	48	16	-55	175	表面贴装	2.3	6.22	6.5	2	Tab	TO-252	DPAK	卷带			Unconfirmed														3				Single																		P
AOD422	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	[email protected]	,	AOD422	Alpha & Omega Semiconductor	Obsolete	ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR LTD	5.82							Compliant	EAR99	Unknown	Unknown	功率MOSFET	Enhancement	1	20	±8	20	[email protected]	1295@10V	37000	2240	328	3760	280	-55	175	表面贴装	2.29	6.1	6.6	2	Tab	TO-252	DPAK				Obsolete													unknown	3				Single																		N
AO7411L	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	[email protected]	-55	150	表面贴装	0.9	1.3	2.1	6	SOT	SC-70	,	150 °C	有	AO7411L	Alpha & Omega Semiconductor	Obsolete	ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR LTD	5.81						Compliant	EAR99	8541.29.00.95	Unknown	Unknown	功率MOSFET	TMOS	Enhancement	1	20	±8	0.8	1.8	100	1	[email protected]	524@10V	625	24.7	11.8	54.5	10.5	卷带			Unconfirmed								其他晶体管					compliant	6				单四排液		增强型MOSFET						P-CHANNEL				1.8 A						P		METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	0.625 W
PMV30UN2R	Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	[email protected]	1.4(Max)	3(Max)	3	SOT	SOT-23	Gull-wing							Compliant	EAR99	8541.29.00.95	有	Unknown	Unknown	功率MOSFET	TMOS	Enhancement	1	20	12	0.9	5.4	100	1	[email protected]	655@10V	1000	10	26	35	7	-55	150	表面贴装	1(Max)	卷带			活跃														3				Single																		N
IXFT42N50P2	Littelfuse	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	145@10V	23	-55	150	表面贴装	5.1(Max)	14(Max)	16.05(Max)	2	Tab	TO-268	42(A)	500(V)	Military	TO-268	-55C to 150C	±30(V)	1	无							符合免除	EAR99	8541.29.00.95	有	有	无	无	功率MOSFET	HiperFET	Enhancement	1	500	±30	42	92@10V	92	5300@25V	830000	9	12	42				活跃		功率MOSFET												3			N	单排双泄			830(W)															N
SPD26N06S2L35T	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	35@10V	1	55	±20	2	30	18@10V	18	590@25V	68000	20	21	29	6	-55	175							不合规	EAR99	8541.29.00.95	有	有	功率MOSFET	OptiMOS	Enhancement				Obsolete																		Single																		N
BSC032N03ST	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8	3.2@10V			EAR99	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	OptiMOS	Enhancement	1	30	±20	23	29@5V	3820@15V	2800	5.4	7	32	7.5	-55	150	表面贴装	1	5.9	5.15	8	SON	No Lead	TDSON EP	Non-Compliant				卷带			Unconfirmed														8				单四漏三源																		N
IPB60R199CPZT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	功率MOSFET	无	无	有	有	8541.29.00.95	EAR99							表面贴装	4.4	9.25	10	2	Tab	TO-263	D2PAK	Gull-wing	150	-55	10	50	5	5	139000	1520@100V		32	32@10V	199@10V	16	±20	650	1	Enhancement	CoolMOS	卷带			Unconfirmed														3				Single																		N